Силовые модули на карбиде кремния (SiC)

FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon SiC MOSFET модуль, 1200В, 170А

Удалить из избранного Добавить в избранное Добавить к сравнению Купить

FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon SiC MOSFET модуль, 1200В, 170А

(0/0)

+ -

Infineon FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - SiC MOSFET модуль, 1200В, 170А, полумост. Купить со склада....

31690.47 руб.

руб.