Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon SiC MOSFET модуль, 1200В, 170А

FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon SiC MOSFET модуль, 1200В, 170А

31850.15 руб.

(0/0)
Infineon FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - SiC MOSFET модуль, 1200В, 170А, полумост. Купить со склада.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии

SiC MOSFET модуль FF4MR12W2M1HB11BPSA1 от Infineon представляет собой высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в современных силовых электронных системах. С рабочим напряжением до 1200 В и током 170 А этот полумостовой модуль обеспечивает исключительную эффективность и надёжность в высокоэнергетических приложениях. Производитель Infineon гарантирует высокое качество сборки и долговечность устройства.

Преимущества и особенности

Модуль FF4MR12W2M1HB11BPSA1 отличается использованием передовой технологии карбида кремния (SiC), что делает его идеальным выбором для задач, требующих высокой энергоэффективности и минимальных потерь на переключение. Благодаря рабочей температуре в диапазоне от -40°C до +175°C, устройство сохраняет стабильность даже в экстремальных условиях эксплуатации. Конструкция полумостового типа позволяет легко интегрировать модуль в различные схемы силовой электроники. Монтаж на шасси упрощает установку и обеспечивает эффективное рассеивание тепла, что увеличивает срок службы устройства. Инновационные решения Infineon гарантируют низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения, что особенно важно для современных приложений.

Области применения

SiC MOSFET модуль FF4MR12W2M1HB11BPSA1 широко применяется в различных областях промышленной электроники и энергетики. Он используется в инверторах для возобновляемых источников энергии, таких как солнечные панели и ветрогенераторы, где требуется преобразование постоянного тока в переменный с минимальными потерями. Также это устройство подходит для зарядных станций электромобилей, промышленных приводов и систем управления питанием. Высокая мощность и надёжность делают его незаменимым в медицинской технике, серверных центрах и других областях, где важны точность и стабильность работы.

Покупка и доставка

В нашем интернет-магазине вы можете купить SiC MOSFET модуль FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon с гарантией оригинальности и качества. Мы предлагаем оперативную доставку по всей России, а также удобные способы оплаты, включая банковские карты и безналичный расчёт. Товар всегда в наличии на складе, что позволяет оформить заказ в кратчайшие сроки. Наши специалисты готовы предоставить консультацию по выбору подходящего оборудования и помочь с решением технических вопросов. Для оптовых покупателей доступны специальные условия сотрудничества.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли этот модуль для работы в экстремально холодных условиях?
Ответ: Да, модуль FF4MR12W2M1HB11BPSA1 может работать при температурах до -40°C, что делает его пригодным для использования в сложных климатических условиях.

Вопрос: Можно ли использовать данный модуль в системах зарядки электромобилей?
Ответ: Конечно. Благодаря высокому напряжению 1200 В и току 170 А, этот модуль отлично подходит для создания зарядных станций и других высокомощных устройств.

Рекомендуемые аналоги

Если вам необходимы дополнительные варианты, мы предлагаем обратить внимание на другие продукты Infineon, такие как FF6MR12W2M1B11BPSA1 или FF4MR12W2M1B11BPSA1. Все представленные устройства сертифицированы и соответствуют высоким стандартам качества. Также в нашем каталоге доступны решения от других производителей, которые могут быть совместимы с вашими требованиями.

Оформите заказ на FF4MR12W2M1HB11BPSA1 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.

Категория:  Силовые модули на карбиде кремния (SiC)
Артикул:  6183006
Наличие:  735
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   Просмотреть информацию о ПЦН
  • Статус части:   Активный
Товар добавлен в корзину!