Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

ZXMS6004DN8-13 Diodes Inc. MOSFET, Dual N-Ch, 60В, 500мОм

ZXMS6004DN8-13 Diodes Inc. MOSFET, Dual N-Ch, 60В, 500мОм

835.45 руб.

(0/0)
ZXMS6004DN8-13 - Dual N-Ch MOSFET транзистор 60В 500мОм в корпусе MSOIC-8. Diodes Incorporated. Купить со склада.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии
ZXMS6004DN8-13 - MOSFET транзистор от Diodes Incorporated. Два N-канальных транзистора, напряжение сток-исток 60В, сопротивление открытого канала 500мОм. Корпус MSOIC-8, монтаж поверхностный. Рабочая температура от -40°C до +150°C. Идеально подходит для широкого спектра применений. Надежный и эффективный.
Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  9091159
Наличие:  634
  • Package Style:   MSOIC-8
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   N/A
  • Статус части:   Active
  • Размер минимального заказа, шт.:   2500
  • Производитель:   Diodes Incorporated
  • Тикер производителя:   DIO
  • Модель модификации:   ZXMS6004DN8-13
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   9091159
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/zxms6004dn8-13-diodes-incorporated-9091159
  • Operating Temp Range:   -40°C to +150°C
  • No of Channels:   2
  • Fet Type:   Dual N-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   60V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   500MΩ
  • Rated Power Dissipation:   1.56W
  • Drain Current:   1.2A
  • Turn-on Delay Time:   5µs
  • Turn-off Delay Time:   45µs
  • Rise Time:   10µs
  • Fall Time:   15µs
  • Technology:   Si
  • Length:   4.95mm
  • Height - Max:   1.5mm
  • Скачать Datasheet ZXMS6004DN8.pdf:   https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ZXMS6004DN8.pdf
Товар добавлен в корзину!