Мощный N-канальный MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N, 600 В, 140 Вт, 20 А, сопротивление канала 0.165 Ом, технология MDmesh, корпус TO-247-3. Применяется в высоковольтных преобразователях и силовой электронике.
Категория:
МОП-транзисторы
Артикул:
8013322
Наличие:
384
-
Package Style:
TO-247-3
-
Mounting Method:
Through Hole
-
ECCN:
EAR99
-
Информация PCN:
N/A
-
Статус части:
Active
-
Размер минимального заказа, шт.:
630
-
Производитель:
STMicroelectronics
-
Тикер производителя:
STM
-
Модель модификации:
STW26NM60N
-
Модель:
tube
-
Артикул (SKU):
8013322
-
Ссылка на предложение поставщика:
https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stw26nm60n-stmicroelectronics-8013322
-
Operating Temp Range:
-55°C to +150°C
-
No of Channels:
1
-
Input Capacitance:
1800pF
-
Fet Type:
N-Ch
-
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
600V
-
Drain-Source On Resistance-Max:
0.165Ω
-
Rated Power Dissipation:
140W
-
Qg Gate Charge:
60nC
-
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:
30V
-
Drain Current:
20A
-
Turn-on Delay Time:
13ns
-
Turn-off Delay Time:
85ns
-
Rise Time:
25ns
-
Fall Time:
50ns
-
Gate Source Threshold:
4V
-
Technology:
MDmesh
-
Length:
15.75mm
-
Height - Max:
20.15mm
-
Скачать Datasheet en.DM00095160.pdf:
http://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/b6/44/fa/b4/b9/71/4d/ad/DM00095160.pdf/files/DM00095160.pdf/jcr:content/translations/en.DM00095160.pdf
