SIS890DN-T1-GE3 MOSFET N-Ch 100В 8.8А PowerPAK-1212-8

MOSFET транзистор SIS890DN-T1-GE3 от Vishay представляет собой высококачественный N-канальный полевой транзистор, предназначенный для применения в современных электронных устройствах. С напряжением пробоя 100 В и током стока до 8.8 А, он обеспечивает надёжную работу в широком диапазоне нагрузок. Компактный корпус PowerPAK-1212-8 делает его идеальным выбором для поверхностного монтажа в условиях ограниченного пространства.

Преимущества и особенности

SIS890DN-T1-GE3 отличается низким сопротивлением открытого канала (Rds(on) всего 23.5 мОм), что минимизирует потери энергии и повышает эффективность работы устройств. Быстрое переключение позволяет использовать этот MOSFET в высокочастотных приложениях, где важна точность и скорость реакции. Производитель Vishay гарантирует высокую надёжность компонента благодаря использованию передовых технологий производства и строгому контролю качества. Диапазон рабочих температур от -55°C до +150°C обеспечивает стабильную работу даже в экстремальных условиях.

Области применения

Транзистор SIS890DN-T1-GE3 широко применяется в источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других устройствах, требующих высокой эффективности и надёжности. Его компактный размер и высокие технические характеристики делают его популярным выбором для автомобильной электроники, промышленной автоматизации и бытовой техники. Благодаря универсальности, этот MOSFET также может быть использован в разработке новых прототипов и экспериментальных проектах.

Покупка и доставка

В нашем интернет-магазине вы можете купить MOSFET транзистор SIS890DN-T1-GE3 со склада по выгодной цене. Мы предлагаем оперативную обработку заказов и быструю доставку по всей России. Для удобства клиентов доступны различные способы оплаты, включая банковские карты и безналичный расчёт. Наши специалисты готовы предоставить профессиональную консультацию по выбору компонентов и их применению. Гарантируем оригинальность продукции и её соответствие всем заявленным характеристикам.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли SIS890DN-T1-GE3 для использования в автомобильной электронике?
Ответ: Да, данный транзистор обладает широким диапазоном рабочих температур и высокой надёжностью, что делает его подходящим для применения в автомобильной электронике.

Вопрос: Как быстро я могу получить заказанный транзистор?
Ответ: Мы отправляем заказы в течение 1–2 рабочих дней после подтверждения оплаты. Срок доставки зависит от выбранного способа и региона, но обычно составляет от 2 до 7 дней.

Рекомендуемые аналоги

Если вам нужен альтернативный вариант, обратите внимание на MOSFET транзисторы аналогичного класса от других производителей, таких как Infineon или ON Semiconductor. Например, модель IPP60R099CP7 от Infineon обладает схожими характеристиками и может стать хорошей заменой в зависимости от ваших требований.

Оформите заказ на SIS890DN-T1-GE3 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.