Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

SI7852DP-T1-E3 Vishay N-канальный MOSFET 80В 16.5мОм PowerPAK SO-8

SI7852DP-T1-E3 Vishay N-канальный MOSFET 80В 16.5мОм PowerPAK SO-8

976.37 руб.

(0/0)
Vishay SI7852DP-T1-E3 - N-канальный MOSFET 80В, 16.5мОм в PowerPAK SO-8 для DC/DC. Купить.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии

SI7852DP-T1-E3 от Vishay — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET с напряжением 80 В и низким сопротивлением открытого канала всего 16.5 мОм в компактном корпусе PowerPAK SO-8. Этот транзистор, созданный по технологии TrenchFET®, обеспечивает превосходную эффективность в DC/DC преобразователях и других силовых приложениях. Оригинальное качество Vishay гарантирует надёжность и стабильность работы даже в самых сложных условиях эксплуатации.

Преимущества и особенности

Модель SI7852DP-T1-E3 выделяется благодаря использованию передовой технологии TrenchFET®, которая минимизирует потери мощности и увеличивает эффективность устройства. Низкое сопротивление открытого канала (16.5 мОм) позволяет добиться минимального рассеивания энергии, что особенно важно для устройств с высокими требованиями к энергоэффективности. Корпус PowerPAK SO-8 не только обеспечивает отличный теплоотвод, но и занимает минимум места на печатной плате, что делает его идеальным выбором для компактных решений. Рабочий температурный диапазон от -55°C до +150°C подтверждает устойчивость к экстремальным условиям, а высокая надёжность производства гарантирует долговечность использования.

Области применения

Этот MOSFET широко применяется в современных DC/DC преобразователях, где требуется высокая эффективность и малые потери энергии. Его характеристики также позволяют использовать его в источниках питания для компьютеров, серверов и телекоммуникационного оборудования. Благодаря высокому напряжению пробоя (80 В), он подходит для автомобильной электроники, промышленной автоматизации и различных портативных устройств. Компактный размер и низкие тепловые потери делают его популярным выбором для разработчиков, стремящихся к созданию миниатюрных и производительных решений.

Покупка и доставка

В нашем интернет-магазине вы можете купить SI7852DP-T1-E3 Vishay со склада по выгодной цене. Мы предлагаем как розничные, так и оптовые поставки. Доставка осуществляется по всей России, а наличие товара на складе позволяет быстро оформить заказ и получить его в кратчайшие сроки. Наши специалисты всегда готовы помочь с выбором, предоставить консультацию по применению или ответить на любые вопросы. Гарантия оригинальности продукции и техническая поддержка включены в каждый заказ.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли этот MOSFET для автомобильных приложений?
Ответ: Да, SI7852DP-T1-E3 обладает широким рабочим температурным диапазоном и высокой надёжностью, что делает его подходящим для использования в автомобильной электронике.

Вопрос: Какие преимущества даёт технология TrenchFET®?
Ответ: Технология TrenchFET® снижает сопротивление открытого канала и минимизирует потери мощности, что повышает общую эффективность устройства.

Рекомендуемые аналоги

Если вам необходимы дополнительные варианты, обратите внимание на аналогичные модели, такие как IRF7470 от Infineon или AO4402 от Alpha & Omega Semiconductor. Все представленные продукты имеют сертификаты качества и доступны к заказу на нашем сайте.

Оформите заказ на SI7852DP-T1-E3 Vishay — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.

Категория:  Поставки с ограничениями
Артикул:  1156820
Наличие:  много
  • Package Style:   POWERPAK-SO-8
  • Mounting Method:   Поверхностная монтажная
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   Просмотреть информацию о ПЦН
  • Статус части:   Активный
  • Производитель:   Vishay
  • Тикер производителя:   SIX
  • Модель модификации:   SI7852DP-T1-E3
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   1156820
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/si7852dp-t1-e3-vishay-1156820
  • Operating Temp Range:   -55 °C до +150 °C
  • No of Channels:   1
  • Input Capacitance:   250 пФ
  • Метод монтажа :   Поверхностная монтажная
  • Fet Type:   N-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   80 В
  • Drain-Source On Resistance-Max:   0,0165 Ом
  • Rated Power Dissipation:   1.9W
  • Qg Gate Charge:   41nC
  • Drain Current:   1 мкА
  • Turn-on Delay Time:   25 нс
  • Turn-off Delay Time:   60 нс
  • Rise Time:   17 лет
  • Fall Time:   45ns
  • Gate Source Threshold:   2V
  • Диапазон рабочих температур :   -55 °C до +150 °C
  • Тип Фет :   N-Ch
  • Количество каналов :   1
  • Напряжение между дRAINом и сOURCEом [Vdss] :   80 В
  • Сопротивление при максимальном токе от источника к стоку :   0,0165 Ом
  • Оцененная тепловая мощность :   1.9W
  • Предварительный заряд Qg-двери :   41nC
  • Время задержки включения :   25 нс
  • Время отключения задержки :   60 нс
  • Время восхождения :   17 лет
  • Время падения :   45ns
  • Технология:   ТранчМОС
  • Входная емкость :   250 пФ
  • Текущий утечка :   1 мкА
  • Гате Сорс Тхрэшхолд :   2V
Товар добавлен в корзину!