Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

SI7113DN-T1-E3 Vishay P-Ch MOSFET 100В 3.5А PowerPAK-1212-8

SI7113DN-T1-E3 Vishay P-Ch MOSFET 100В 3.5А PowerPAK-1212-8

886.29 руб.

(0/0)
Vishay SI7113DN-T1-E3 - P-канальный MOSFET 100В, 3.5А в корпусе PowerPAK-1212-8. Купить со склада.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии
P-канальный MOSFET SI7113DN-T1-E3 от Vishay. Напряжение сток-исток: 100В. Ток стока: 3.5А. Сопротивление открытого канала: 134мОм. Корпус: PowerPAK-1212-8. Диапазон рабочих температур: -50°C to +150°C. SMT монтаж.
Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  8020258
Наличие:  608
  • Package Style:   POWERPAK-1212-8
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   View PCN Information
  • Статус части:   Obsolete
  • Размер минимального заказа, шт.:   3000
  • Производитель:   Vishay
  • Тикер производителя:   SIX
  • Модель модификации:   SI7113DN-T1-E3
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   8020258
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/si7113dn-t1-e3-vishay-8020258
  • Operating Temp Range:   -50°C to +150°C
  • No of Channels:   1
  • Input Capacitance:   1480pF
  • Fet Type:   P-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   100V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   134mΩ
  • Rated Power Dissipation:   3.7W
  • Qg Gate Charge:   35nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:   20V
  • Drain Current:   3.5A
  • Turn-on Delay Time:   11ns
  • Turn-off Delay Time:   42ns
  • Rise Time:   13ns
  • Fall Time:   10ns
  • Gate Source Threshold:   3V
  • Скачать Datasheet si7113dn.pdf:   http://www.vishay.com/docs/73770/si7113dn.pdf
Товар добавлен в корзину!