Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

SI2356DS-T1-GE3 Vishay MOSFET N-Ch 40В 3.2А SOT-23

SI2356DS-T1-GE3 Vishay MOSFET N-Ch 40В 3.2А SOT-23

820.66 руб.

(0/0)
SI2356DS-T1-GE3 - N-канальный MOSFET 40В 3.2А в корпусе SOT-23 от Vishay. Купить со склада.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии

SI2356DS-T1-GE3 — это высококачественный N-канальный MOSFET от ведущего производителя Vishay, выполненный в компактном корпусе SOT-23. Транзистор способен работать при напряжении до 40В и токе до 3.2А, что делает его универсальным решением для широкого спектра электронных устройств. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала (51мОм) и диапазону рабочих температур от -55°C до +150°C, этот MOSFET обеспечивает надёжную и эффективную работу даже в сложных условиях.

Преимущества и особенности

Транзистор SI2356DS-T1-GE3 выделяется своей высокой надёжностью и стабильностью характеристик, что достигается благодаря передовым технологиям производства компании Vishay. Компактный корпус SOT-23 позволяет легко интегрировать данный элемент в современные устройства с ограниченным пространством для монтажа. Низкое сопротивление открытого канала снижает потери мощности, что особенно важно для устройств с повышенными требованиями к энергоэффективности. Кроме того, широкий диапазон рабочих температур гарантирует устойчивую работу как при экстремально низких, так и при высоких температурах окружающей среды.

Области применения

MOSFET SI2356DS-T1-GE3 широко используется в различных сферах электроники. Этот транзистор идеально подходит для применения в источниках питания, драйверах светодиодов, системах управления двигателями и других устройствах, где требуется управление током или переключение сигналов. Благодаря своим характеристикам он также находит применение в автомобильной электронике, бытовой технике и промышленных системах автоматизации. Компактный размер и высокая надёжность делают его популярным выбором среди разработчиков печатных плат и инженеров.

Покупка и доставка

В нашем интернет-магазине вы можете купить транзистор SI2356DS-T1-GE3 со склада по выгодной цене. Мы гарантируем оригинальность продукции и её соответствие всем заявленным характеристикам. Доставка осуществляется по всей России в кратчайшие сроки, а наши специалисты всегда готовы предоставить консультацию по выбору и применению данного компонента. Для оптовых заказов доступны специальные условия сотрудничества. Мы предлагаем удобные способы оплаты и гарантию возврата в случае необходимости.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли SI2356DS-T1-GE3 для работы с высокими частотами?
Ответ: Да, данный MOSFET обладает низким уровнем заряда затвора, что делает его пригодным для использования в высокочастотных схемах.

Вопрос: Какие меры предосторожности следует соблюдать при монтаже этого транзистора?
Ответ: При работе с SI2356DS-T1-GE3 важно соблюдать правила защиты от статического электричества и следить за правильной полярностью подключения, чтобы избежать повреждения элемента.

Рекомендуемые аналоги

Если вам нужен транзистор с аналогичными характеристиками, обратите внимание на IRLML6402 от Infineon и AO3400 от Alpha & Omega Semiconductor. Эти модели также имеют N-канальную структуру и подходят для поверхностного монтажа, что делает их совместимыми с большинством современных устройств.

Оформите заказ на SI2356DS-T1-GE3 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.

Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  5054241
Наличие:  731
  • Package Style:   SOT-23 (SC-59,TO-236)
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   View PCN Information
  • Статус части:   Active
  • Размер минимального заказа, шт.:   6000
  • Производитель:   Vishay
  • Тикер производителя:   SIX
  • Модель модификации:   SI2356DS-T1-GE3
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   5054241
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/si2356ds-t1-ge3-vishay-5054241
  • Operating Temp Range:   -55°C to +150°C
  • No of Channels:   1
  • Fet Type:   N-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   40V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   51mΩ
  • Rated Power Dissipation:   0.96|W
  • Qg Gate Charge:   8.1nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:   12V
  • Drain Current:   3.2A
  • Turn-on Delay Time:   6ns
  • Turn-off Delay Time:   13ns
  • Length:   3.04mm
  • Height - Max:   1.02mm
Товар добавлен в корзину!