
Количество:
Личный кабинет
MOSFET SI1967DH-T1-GE3 от Vishay представляет собой высококачественный полевой транзистор с двумя P-канальными TrenchFET Power MOSFET в компактном корпусе SOT-363. С напряжением сток-исток до 20В и сопротивлением открытого канала 490мОм, этот компонент идеально подходит для поверхностного монтажа в современных электронных устройствах. Оригинальная продукция Vishay гарантирует надёжность и стабильность работы даже в сложных условиях.
Vishay SI1967DH-T1-GE3 отличается высокой эффективностью и компактностью, что делает его незаменимым выбором для разработчиков электроники. Благодаря технологии TrenchFET, транзистор обеспечивает минимальные потери энергии при переключении и высокую плотность тока. Корпус SOT-363 обеспечивает удобство монтажа и экономию места на печатной плате, что особенно важно в современных миниатюрных устройствах. Производитель Vishay известен своей безупречной репутацией, предлагая продукцию, соответствующую международным стандартам качества и безопасности.
SI1967DH-T1-GE3 широко используется в различных электронных устройствах, где требуется управление питанием или коммутация сигналов. Этот транзистор подходит для применения в портативной технике, таких как смартфоны, планшеты и ноутбуки, где важны компактность и энергоэффективность. Также он применяется в промышленной автоматике, системах управления питанием, автомобильной электронике и других областях, где необходимы надёжные и компактные решения для коммутации малых токов.
Купить MOSFET SI1967DH-T1-GE3 вы можете в нашем интернет-магазине с доставкой по всей России. Товар всегда в наличии на складе, что позволяет оформить заказ быстро и без задержек. Мы предлагаем гибкие условия оплаты, включая безналичный расчёт и онлайн-платежи. Наши специалисты готовы предоставить консультацию по выбору компонента, а также помочь с техническими вопросами. Все товары сертифицированы, и мы гарантируем оригинальность продукции.
Вопрос: Подходит ли SI1967DH-T1-GE3 для использования в цепях с напряжением выше 20В?
Ответ: Нет, максимальное напряжение сток-исток для этого транзистора составляет 20В. Превышение этого значения может привести к повреждению компонента.
Вопрос: Можно ли использовать этот транзистор для управления нагрузкой с высоким током?
Ответ: SI1967DH-T1-GE3 рассчитан на работу с относительно небольшими токами. Для управления высокими токами рекомендуется выбрать более мощный транзистор с меньшим сопротивлением открытого канала.
Если вам нужен аналогичный компонент с другими характеристиками, обратите внимание на транзисторы серии AO3401 от Alpha & Omega Semiconductor или NDS352AP от ON Semiconductor. Эти модели также имеют P-канальную структуру и подходят для поверхностного монтажа. Все аналоги доступны в нашем каталоге, и наши специалисты помогут подобрать оптимальное решение под ваши задачи.
Оформите заказ на MOSFET SI1967DH-T1-GE3 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.
МЫ ИСПОЛЬЗУЕМ COOKIE-ФАЙЛЫ. ПРОДОЛЖАЯ ИСПОЛЬЗОВАТЬ САЙТ CHIP-SERVER360.RU, ВЫ ПОДТВЕРЖДАЕТЕ СВОЁ СОГЛАСИЕ НА ОБРАБОТКУ COOKIE-ФАЙЛОВ КОМПАНИЕЙ В СООТВЕТСТВИИ С ФЕДЕРАЛЬНЫМ ЗАКОНОМ №152-ФЗ «О ПЕРСОНАЛЬНЫХ ДАННЫХ». ВЫ МОЖЕТЕ ИЗМЕНИТЬ НАСТРОЙКИ COOKIE В СВОЁМ БРАУЗЕРЕ.
ПОЛИТИКА COOKIES ПОЛИТИКА КОНФИДЕНЦИАЛЬНОСТИ СОГЛАСИЕ НА ОБРАБОТКУ ДАННЫХ