Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

SCTWA60N120G2-4 SiC MOSFET 1200В 60A Infineon HiP-247-4

SCTWA60N120G2-4 SiC MOSFET 1200В 60A Infineon HiP-247-4

2610.87 руб.

(0/0)
SCTWA60N120G2-4 - SiC MOSFET 1200В, 60A в корпусе HiP-247-4. Купить по выгодной цене.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии
SiC MOSFET SCTWA60N120G2-4 от Infineon. N-канальный MOSFET, напряжение 1200В, ток 60А, сопротивление 52 мОм, мощность 389Вт. Корпус HiP-247-4. Используется в высокоэффективных преобразователях энергии и силовой электронике.
Категория:  SiC MOSFET транзисторы
Артикул:  7145991
Наличие:  737
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   Н/Д
  • Статус части:   Активный
Товар добавлен в корзину!