Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

SCTW40N120G2V MOSFET SiC 1200В 36А HiP247

SCTW40N120G2V MOSFET SiC 1200В 36А HiP247

2501.24 руб.

(0/0)
SCTW40N120G2V - SiC MOSFET 1200V 36A в корпусе HiP247. Купить кремниево-карбидный транзистор.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии

SiC MOSFET SCTW40N120G2V производства Infineon представляет собой высокопроизводительный транзистор на основе кремниевого карбида, предназначенный для работы в мощных электронных системах. Благодаря рабочему напряжению 1200В и току до 36А, этот компонент идеально подходит для применения в импульсных источниках питания, инверторах и других устройствах, требующих высокой эффективности и надёжности. Корпус HiP247 обеспечивает оптимальное рассеивание тепла и удобство монтажа.

Преимущества и особенности

Главным преимуществом SCTW40N120G2V является использование технологии кремниевого карбида (SiC), которая значительно улучшает энергоэффективность за счёт снижения потерь при переключении. Транзистор обладает низким сопротивлением открытого канала — всего 62мОм, что минимизирует рассеиваемую мощность и повышает КПД устройств. Дополнительно стоит отметить высокую термическую стабильность и способность работать в экстремальных температурных условиях, что делает этот компонент предпочтительным выбором для промышленного применения. Производитель Infineon гарантирует высокое качество сборки и долговечность изделия, что подтверждается строгим соблюдением международных стандартов.

Области применения

SCTW40N120G2V широко используется в современных силовых электронных устройствах, где критически важны высокая производительность и минимальные потери энергии. Этот SiC MOSFET отлично подходит для создания импульсных источников питания, зарядных станций для электромобилей, инверторов для возобновляемых источников энергии, таких как солнечные панели и ветрогенераторы. Также он применяется в промышленной автоматизации, где требуется управление мощными нагрузками с высокой точностью и надёжностью. Высокая частота переключения и низкие динамические потери позволяют создавать компактные и эффективные системы.

Покупка и доставка

Купить SiC MOSFET SCTW40N120G2V вы можете в нашем интернет-магазине с доставкой по всей России. Мы предлагаем только оригинальную продукцию Infineon, сертифицированную и прошедшую многоступенчатый контроль качества. Все товары находятся в наличии на складе, что позволяет оперативно формировать заказы даже крупным оптовым клиентам. Предоставляем гибкие условия оплаты, включая безналичный расчёт и банковские карты. Наши специалисты готовы предоставить техническую консультацию по выбору и применению компонента, а также помочь с оформлением заказа.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Каковы основные отличия SiC MOSFET от традиционных MOSFET?
Ответ: SiC MOSFET, такие как SCTW40N120G2V, имеют более высокую энергоэффективность благодаря использованию кремниевого карбида. Это позволяет снизить потери при переключении и повысить КПД устройств, особенно на высоких частотах.

Вопрос: Подходит ли этот транзистор для автомобильной электроники?
Ответ: Да, SCTW40N120G2V соответствует требованиям автомобильной промышленности и может использоваться в бортовых системах, включая зарядные устройства для электромобилей и преобразователи напряжения.

Рекомендуемые аналоги

Если вам необходимы дополнительные варианты, обратите внимание на другие модели SiC MOSFET от Infineon, такие как IMZ120R045M1 или C3M0065100K от Wolfspeed. Эти компоненты также обеспечивают высокую производительность и надёжность, что делает их подходящими для широкого спектра задач. Все аналоги доступны к заказу на нашем сайте.

Оформите заказ на SCTW40N120G2V — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.

Категория:  SiC MOSFET транзисторы
Артикул:  4190761
Наличие:  425
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   Н/Д
  • Статус части:   Активный
Товар добавлен в корзину!