Личный кабинет
1486.82 руб.
SiC MOSFET SCT1000N170 от STMicroelectronics — это высоковольтный N-канальный транзистор, работающий при напряжении до 1700В и токе 7А. Устройство размещено в корпусе TO-247-3, что обеспечивает надёжный монтаж сквозным отверстием и эффективное рассеивание тепла. Этот компонент идеально подходит для применения в современных силовых преобразователях и высоковольтных системах благодаря улучшенной эффективности и стабильности работы при экстремальных температурах.
SiC MOSFET SCT1000N170 представляет собой инновационное решение на основе карбида кремния, которое значительно превосходит стандартные кремниевые транзисторы по ряду параметров. Благодаря использованию технологии SiC, устройство демонстрирует минимальные потери проводимости и переключения, что повышает общую энергоэффективность системы. Компонент также отличается повышенной устойчивостью к перегреву и способен работать в широком диапазоне температур от -55°C до +200°C. Производитель STMicroelectronics гарантирует высокое качество сборки и долговечность устройства, что делает его надёжным выбором для ответственных применений.
SCT1000N170 оптимально подходит для использования в современных силовых электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты, зарядные станции для электромобилей и источники бесперебойного питания. Его высокая рабочая частота и низкие динамические потери обеспечивают значительное снижение габаритов и веса конечных устройств, что особенно важно в условиях ограниченного пространства. Кроме того, этот транзистор отлично проявляет себя в промышленной автоматизации, где требуется высокая точность и стабильность работы при высоких напряжениях.
Купить SiC MOSFET SCT1000N170 можно прямо сейчас в нашем интернет-магазине. Товар всегда в наличии на складе, и мы предлагаем быстрое оформление заказа с возможностью доставки по всей России. Наши специалисты готовы предоставить подробную консультацию по характеристикам и совместимости данного компонента, а также помочь с выбором аналогичных решений, если потребуется. Мы гарантируем оригинальность продукции и обеспечиваем техническую поддержку на всех этапах сотрудничества.
Вопрос: Чем SiC MOSFET отличается от обычного кремниевого транзистора?
Ответ: SiC MOSFET обладает значительно более высокой эффективностью за счёт меньших потерь при переключении и проводимости, а также работает при более высоких температурах и напряжениях по сравнению с кремниевыми аналогами.
Вопрос: Подходит ли SCT1000N170 для использования в зарядных станциях?
Ответ: Да, данный транзистор идеально подходит для применения в зарядных станциях благодаря своей высокой эффективности и способности работать при экстремальных нагрузках.
Если вам нужна альтернатива SCT1000N170, обратите внимание на такие модели, как Cree C3M0075120K или Rohm SCT3080AL. Эти компоненты также основаны на технологии SiC и обладают схожими характеристиками, что делает их совместимыми для большинства высоковольтных приложений.
Оформите заказ на SiC MOSFET SCT1000N170 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.
