PIC24HJ64GP506T-I/PT

Компания Microchip предлагает решения для всего диапазона производительности 8-, 16- и 32-разрядных микроконтроллеров с мощной архитектурой, гибкими технологиями памяти, комплексными простыми в использовании средствами разработки, полной технической документацией и поддержкой после проектирования через глобальную сеть продаж и дистрибуции. 16-разрядные микроконтроллеры PIC и цифровые сигнальные контроллеры dsPIC. Microchip предлагает два семейства 16-разрядных микроконтроллеров (MCU) и два семейства 16-разрядных цифровых сигнальных контроллеров (DSC), которые обеспечивают совместимость в широком диапазоне цен, производительности и наборов функций.
Характеристики:
Рабочий диапазон: До 40 MIPS (@ 3,0-3,6 В). Промышленный диапазон температур (от -40°C до +85°C).
До 40 MIPS (@ 3,0-3,6 В).
Промышленный диапазон температур (от -40°C до +85°C).
Высокопроизводительный процессор: Модифицированная гарвардская архитектура. Оптимизированный компилятором C набор инструкций. Тракт данных шириной 16 бит. Инструкции шириной 24 бита. Линейная адресация памяти программ до 4 М слов инструкций. Линейная адресация памяти данных до 64 Кбайт. 71 базовая инструкция, в основном 1 слово/1 цикл. Шестнадцать 16-разрядных регистров общего назначения. Гибкие и мощные режимы адресации. Программный стек. Операции умножения 16 x 16. Операции деления 32/16 и 16/16. Сдвиг до ±16 бит для 40-битных данных.
Модифицированная гарвардская архитектура.
Набор инструкций, оптимизированный компилятором C.
Тракт данных шириной 16 бит.
Инструкции шириной 24 бита.
Линейная адресация памяти программ до 4 М слов инструкций.
Линейная адресация памяти данных до 64 Кбайт.
71 базовая инструкция, в основном 1 слово/1 цикл.
Шестнадцать 16-разрядных регистров общего назначения.
Гибкие и мощные режимы адресации.
Программный стек.
Операции умножения 16 x 16.
Операции деления 32/16 и 16/16.
Сдвиг до ±16 бит для 40-битных данных.
Технология CMOS Flash: Малопотребляющая, высокоскоростная технология флэш-памяти. Полностью статическая конструкция. Рабочее напряжение 3,3 В (±10%). Промышленная и расширенная температура. Низкое энергопотребление.
Технология высокоскоростной флэш-памяти с низким энергопотреблением.
Полностью статическая конструкция.
Рабочее напряжение 3,3 В (±10%).
Промышленная и расширенная температура.
Низкое энергопотребление.