Нет в наличии
MX25L3206EM2I-12GTR – это 32 Мб последовательная флэш-память CMOS с последовательным периферийным интерфейсом и программным протоколом, которая поддерживает операции чтения, стирания и программирования. Он доступен в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа.
Функции:
Совместимость с последовательным периферийным интерфейсом – режим 0 и режим
Структура 33 554 432 x 1 бит или 16 777 216 x 2 бит (режим двойного выхода)
1024 равных сектора по 4 КБ каждый – любой сектор может быть стерт по отдельности
64 равных блока по 64 КБ каждый – любой блок может быть стерт по отдельности
Возможности программы Byte base Page base (256 байт)
Байтовая база
База страниц (256 байт)
Защелка защищена до 100 мА в диапазоне от -1 В до Вcc+1 В
Высокая производительность: Быстрое время доступа: 86 МГц последовательные часы Короткое время программирования: 1,4 мс (тип) и 5 мс (макс.) на страницу Время программирования в байтах: 9 мкс(тип) Быстрое время стирания: 60 мс (тип) на сектор; 0,7 с (тип.)/блок
Малое время доступа: тактовый сигнал последовательного порта 86 МГц
Короткое время программирования: 1,4 мс (тип.) и 5 ms(max)/страница
Время программирования в байтах: 9μс (тип)
Быстрое время стирания: 60 мс(тип)/сектор; 0,7 с (тип.)/блок
Низкое энергопотребление Низкий активный ток считывания: 25 мА (макс.) при 86 МГц Низкий активный программный ток: 20 мА (макс.) Низкий активный ток стирания: 20 мА (макс.) Ток в режиме ожидания: 40 мкА (макс.) Режим глубокого пониженного энергопотребления 5 мкА (типовое значение)
Малый активный ток считывания: 25 мА (макс.) на частоте 86 МГц
Низкий активный ток программирования: 20 мА (макс.)
Низкий активный ток стирания: 20 мА (макс.)
Ток в режиме ожидания: 40 мкА (макс.)
Режим глубокого пониженного энергопотребления 5 мкА (типовое значение)
Типичные 100 000 циклов стирания/программирования
20 лет хранения данных
|