PDTB123YT-QR Nexperia PNP Pre-Biased Транзистор, 50V, 500mA, TO-236AB

764.48 руб.

(0/0)

PNP Pre-Biased BJT транзистор PDTB123YT-QR от Nexperia. 50V, 500mA, корпус TO-236AB. Купить со склада.

Способы оплаты

PDTB123YT-QR: PNP Pre-Biased BJT Транзистор от Nexperia

PDTB123YT-QR - это высококачественный PNP pre-biased биполярный транзистор (BJT) от компании Nexperia. Предназначен для использования в широком спектре приложений, включая автомобильную электронику.

Основные характеристики:

Тип: PNP Pre-Biased
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 50V
Максимальный ток коллектора (Ic): 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd): 250mW
Диапазон рабочих температур: -65°C to +150°C
Корпус: TO-236AB (SMT)

Транзистор PDTB123YT-QR отличается стабильностью параметров и надежностью в эксплуатации. Идеален для поверхностного монтажа (SMT).

Категория: Биполярные транзисторы (BJT)

Артикул: 6167925

Наличие: 779

Package Style: TO-236AB
Mounting Method: Surface Mount
ECCN: EAR99
Информация PCN: N/A
Статус части: Active
Размер минимального заказа, шт.: 3000
Производитель: Nexperia
Тикер производителя: NPR
Модель модификации: PDTB123YT-QR
Модель: reel
Артикул (SKU): 6167925
Ссылка на предложение поставщика: https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/pdtb123yt-qr-nexperia-6167925
Operating Temp Range: -65°C to +150°C
Configuration: Single
Product Status: Active
Polarity: PNP-Pre-Biased
CE Voltage-Max: 50V
Collector Current Max: 500mA
Power Dissipation-Tot: 250mW
DC Current Gain-Min: 70
Collector - Emitter Saturation Voltage: 300V
Collector - Current Cutoff: 500nA
Скачать Datasheet PDTB123YT-Q.pdf: https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PDTB123YT-Q.pdf

Товар добавлен в корзину!

Корзина

PDTB123YT-QR Nexperia PNP Pre-Biased Транзистор, 50V, 500mA, TO-236AB