NTH4L020N120SC1 SiC MOSFET 1200В 28мОм

SiC MOSFET NTH4L020N120SC1 — это высокопроизводительный кремниево-карбидный транзистор, разработанный для работы в мощных электронных устройствах. Модель рассчитана на напряжение 1200 В и имеет сопротивление открытого канала 28 мОм, что обеспечивает минимальные потери энергии при высоких нагрузках. Корпус TO-247-4 гарантирует надежность монтажа и эффективное теплоотведение, что особенно важно для устройств с длительной эксплуатацией.

Преимущества и особенности

NTH4L020N120SC1 отличается высокой эффективностью благодаря использованию технологии SiC (карбида кремния), которая позволяет снизить потери на переключение и повысить КПД системы. Транзистор способен работать в широком диапазоне температур, сохраняя стабильность параметров даже в экстремальных условиях. Производитель позаботился о долговечности компонента, используя материалы, устойчивые к механическим и термическим нагрузкам. Благодаря корпусу TO-247-4, который обеспечивает дополнительную защиту и удобство монтажа, этот транзистор идеально подходит для сложных инженерных решений.

Области применения

SiC MOSFET NTH4L020N120SC1 широко применяется в силовой электронике, где требуется высокая надежность и производительность. Он используется в источниках бесперебойного питания, промышленных инверторах, системах управления двигателями, электромобилях и зарядных станциях. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокому напряжению пробоя, этот транзистор становится оптимальным выбором для устройств, работающих с большими токами и высокими напряжениями. Также он может быть задействован в системах возобновляемой энергетики, таких как солнечные инверторы и ветрогенераторы.

Покупка и доставка

В нашем интернет-магазине вы можете купить SiC MOSFET NTH4L020N120SC1 с гарантией оригинальности и быстрой доставкой по всей России. Мы поддерживаем постоянное наличие товара на складе, что позволяет оперативно обрабатывать заказы как для розничных, так и для оптовых покупателей. Предоставляем полную техническую поддержку, консультации по применению и помощь в выборе совместимых компонентов. Оплата возможна любым удобным способом, а условия возврата полностью соответствуют законодательству РФ.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли NTH4L020N120SC1 для использования в системах электропривода?
Ответ: Да, данный транзистор отлично подходит для управления двигателями благодаря высокому напряжению пробоя и низкому сопротивлению открытого канала, что обеспечивает минимальные потери энергии.

Вопрос: Какие преимущества дает использование SiC-технологии в сравнении с традиционными MOSFET?
Ответ: SiC-транзисторы имеют более высокую рабочую частоту, меньшие потери на переключение и повышенную термическую стабильность, что делает их идеальными для высокопроизводительных устройств.

Рекомендуемые аналоги

Если вам необходима альтернатива NTH4L020N120SC1, обратите внимание на такие модели, как C3M0065100K от Wolfspeed или SCTW100N120G2AG от STMicroelectronics. Эти компоненты также основаны на технологии SiC и обладают схожими характеристиками, что делает их совместимыми для множества задач.

Оформите заказ на NTH4L020N120SC1 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.