Мощный NPN транзистор Onsemi NJVMJD122T4G, серия NJVMJD122, 100 В, 8 А, тип корпуса TO-252-3 (DPAK), поверхностный монтаж. Минимальный коэффициент усиления по току — 100, максимальная рассеиваемая мощность — 20 Вт. Идеально подходит для высоковольтных и силовых приложений.
Категория:
Биполярные транзисторы (BJT)
Артикул:
4172240
Наличие:
727
-
Package Style:
TO-252-3 (DPAK)
-
Mounting Method:
Surface Mount
-
ECCN:
EAR99
-
Информация PCN:
N/A
-
Статус части:
Active
-
Размер минимального заказа, шт.:
5000
-
Производитель:
Onsemi
-
Тикер производителя:
ON
-
Модель модификации:
NJVMJD122T4G
-
Модель:
reel
-
Артикул (SKU):
4172240
-
Ссылка на предложение поставщика:
https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/njvmjd122t4g-onsemi-4172240
-
Type:
Darlington
-
Polarity:
NPN
-
CE Voltage-Max:
100V
-
Collector Current Max:
8A
-
Power Dissipation-Tot:
20W
-
DC Current Gain-Min:
100
-
Скачать Datasheet MJD122-D.PDF:
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MJD122-D.PDF