Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

IRF9952TRPBF Infineon MOSFET, Dual N/P-Ch, 30V, SOIC-8

IRF9952TRPBF Infineon MOSFET, Dual N/P-Ch, 30V, SOIC-8

795.94 руб.

(0/0)
Dual N/P-Channel 30 V 0.1/0.15 Ohm 6.9/6.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии
 
Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  9174104
Наличие:  141
  • Package Style:   SOIC-8
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   View PCN Information
  • Статус части:   Active
  • Размер минимального заказа, шт.:   4000
  • Производитель:   Infineon
  • Тикер производителя:   INF
  • Модель модификации:   IRF9952TRPBF
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   9174104
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf9952trpbf-infineon-9174104
  • Operating Temp Range:   -55°C to +150°C
  • No of Channels:   2
  • Input Capacitance:   190pF
  • Fet Type:   Dual N/P-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   30V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   100mΩ/250mΩ
  • Rated Power Dissipation:   2W
  • Qg Gate Charge:   6.9nC/6.1nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:   20V
  • Drain Current:   3.5A/2.3A
  • Turn-on Delay Time:   6.2ns/9.7ns
  • Turn-off Delay Time:   13ns/20ns
  • Rise Time:   8.8ns/14ns
  • Fall Time:   3ns/6.9ns
  • Gate Source Threshold:   1V
  • Technology:   Generation V
  • Скачать Datasheet irf9952pbf.pdf:   https://www.infineon.com/dgdl/irf9952pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611f7291dd3
Товар добавлен в корзину!