Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

IRF530NSTRLPBF Infineon MOSFET N-Ch 100В 17А TO-263

IRF530NSTRLPBF Infineon MOSFET N-Ch 100В 17А TO-263

860.24 руб.

(0/0)
MOSFET IRF530NSTRLPBF Infineon N-Ch 100В 17А в корпусе TO-263 (D2PAK). Купить со склада.
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии

MOSFET IRF530NSTRLPBF производства Infineon представляет собой высоконадёжный N-канальный транзистор с рабочим напряжением до 100 В и током до 17 А, предназначенный для применения в современных электронных устройствах. Компактный корпус D2PAK (TO-263) и улучшенная технология обеспечивают удобство монтажа и стабильную работу даже в условиях повышенной нагрузки.

Преимущества и особенности

Транзистор IRF530NSTRLPBF отличается низким сопротивлением канала всего 90 мОм, что минимизирует потери энергии и повышает эффективность работы устройств. Благодаря широкому диапазону рабочих температур — от -55°C до +175°C — он может использоваться в экстремальных условиях, сохраняя стабильность характеристик. Продукция Infineon известна своим качеством и надёжностью, а данная модель подтверждает это благодаря улучшенной технологии производства, которая гарантирует долговечность и безопасность эксплуатации.

Области применения

IRF530NSTRLPBF находит применение в различных областях электроники, включая источники питания, преобразователи напряжения, системы управления двигателями и другие устройства, где требуется эффективное переключение и управление мощностью. Этот MOSFET особенно популярен в промышленной автоматизации, автомобильной электронике и бытовой технике, где его надёжность и производительность играют ключевую роль. Транзистор также подходит для поверхностного монтажа, что делает его идеальным выбором для компактных современных решений.

Покупка и доставка

В нашем интернет-магазине вы можете купить MOSFET IRF530NSTRLPBF со склада по выгодной цене. Мы гарантируем оригинальность продукции и предоставляем полную техническую поддержку при выборе и использовании компонентов. Доставка осуществляется по всей России, а наличие товара на складе позволяет оперативно оформить заказ. Возможна как розничная, так и оптовая покупка с дополнительными скидками для постоянных клиентов. Оплатить товар можно удобным способом, а наши специалисты всегда готовы помочь с консультацией.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли IRF530NSTRLPBF для работы в автомобильной электронике?
Ответ: Да, данный транзистор отлично подходит для применения в автомобильной электронике благодаря широкому диапазону рабочих температур и высокой надёжности.

Вопрос: Какие преимущества имеет корпус D2PAK?
Ответ: Корпус D2PAK обеспечивает удобство поверхностного монтажа, хорошее рассеивание тепла и компактные размеры, что делает его идеальным для современных электронных устройств.

Рекомендуемые аналоги

Если вам требуется альтернатива IRF530NSTRLPBF, обратите внимание на такие модели, как IRF540N или IRLZ44N. Эти MOSFET-транзисторы также обладают высокими характеристиками и могут быть использованы в схожих задачах. Все аналоги доступны в нашем каталоге и имеют сертификаты качества.

Оформите заказ на IRF530NSTRLPBF — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.

Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  8173879
Наличие:  669
  • Package Style:   TO-263-3 (D2PAK)
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   View PCN Information
  • Статус части:   Active
  • Размер минимального заказа, шт.:   800
  • Производитель:   Infineon
  • Тикер производителя:   INF
  • Модель модификации:   IRF530NSTRLPBF
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   8173879
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf530nstrlpbf-infineon-8173879
  • Operating Temp Range:   -55°C to +175°C
  • No of Channels:   1
  • Input Capacitance:   920pF
  • Fet Type:   N-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   100V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   90mΩ
  • Rated Power Dissipation:   3.8W
  • Qg Gate Charge:   37nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:   20V
  • Drain Current:   17A
  • Turn-on Delay Time:   9.2ns
  • Turn-off Delay Time:   35ns
  • Rise Time:   22ns
  • Fall Time:   25ns
  • Gate Source Threshold:   4V
  • Technology:   Advanced Process Technology
Товар добавлен в корзину!