Личный кабинет
858.10 руб.
MOSFET IPD80R1K2P7ATMA1 производства Infineon представляет собой высоковольтный N-канальный транзистор с напряжением сток-исток до 800В и сопротивлением открытого канала 1.2 Ом, выполненный в компактном корпусе TO-252 (DPAK). Это решение, основанное на технологии CoolMOS™, обеспечивает высокую эффективность и надёжность при поверхностном монтаже, что делает его идеальным выбором для современных импульсных источников питания и инверторных систем.
Транзистор IPD80R1K2P7ATMA1 выделяется благодаря использованию передовой технологии CoolMOS™, которая позволяет достичь минимальных потерь мощности за счёт снижения сопротивления открытого канала. Благодаря рабочему напряжению 800В данный MOSFET способен работать в высоковольтных цепях без ущерба для производительности. Компактный корпус TO-252 (DPAK) гарантирует удобство монтажа и оптимальное использование пространства печатной платы. Производитель Infineon известен своей безупречной репутацией в области полупроводниковых решений, что подтверждает высокое качество и долговечность компонента.
IPD80R1K2P7ATMA1 широко применяется в разработке импульсных источников питания, где требуется высокая эффективность преобразования энергии. Данный транзистор также отлично подходит для использования в инверторах, зарядных устройствах и промышленных системах управления мощностью. Его характеристики позволяют успешно применять его в бытовой технике, таких как стиральные машины или кондиционеры, а также в более сложных устройствах, таких как системы возобновляемой энергетики и автомобильная электроника.
Приобрести MOSFET IPD80R1K2P7ATMA1 можно в нашем интернет-магазине, где мы гарантируем оригинальность продукции Infineon. Товар всегда в наличии на складе, возможна как розничная, так и оптовая покупка. Мы предлагаем удобные способы оплаты, оперативную доставку по всей России, а также профессиональные консультации по выбору и применению электронных компонентов. На все товары распространяется гарантия качества от производителя.
Вопрос: Подходит ли этот транзистор для работы в высокочастотных схемах?
Ответ: Да, технология CoolMOS™ обеспечивает низкие динамические потери, что делает IPD80R1K2P7ATMA1 подходящим для высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания.
Вопрос: Какие преимущества даёт корпус TO-252 (DPAK)?
Ответ: Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает компактность и эффективное рассеивание тепла, что особенно важно для поверхностного монтажа и миниатюрных устройств.
Если вам необходимы альтернативные решения, обратите внимание на другие модели из линейки MOSFET Infineon, такие как IPP60R199CP7 или IPD65R600P7. Эти компоненты также основаны на технологии CoolMOS™ и обладают схожими характеристиками. В нашем каталоге представлен широкий ассортимент полупроводниковых элементов для различных задач и бюджетов.
Оформите заказ на IPD80R1K2P7ATMA1 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.
