Личный кабинет
1057.90 руб.
IPB180N06S4H1ATMA2 — высокопроизводительный N-канальный MOSFET от Infineon, выполненный в компактном корпусе TO-263-7 (D2PAK7). Транзистор обладает номинальным напряжением 60В и током до 180А, что делает его идеальным выбором для мощных импульсных источников питания и управления двигателями. Используя технологию OptiMOS™, данный элемент обеспечивает минимальное сопротивление открытого канала всего 1.7мОм, что гарантирует высокую эффективность и надёжность работы.
Модель IPB180N06S4H1ATMA2 выделяется на фоне аналогов благодаря передовым технологиям производства и использованию запатентованной технологии OptiMOS™. Благодаря этому достигается исключительно низкое сопротивление открытого канала, что снижает потери энергии при работе и повышает КПД устройств. Высокая пропускная способность по току (до 180А) позволяет использовать этот транзистор в мощных электронных системах без риска перегрева или выхода из строя. Широкий диапазон рабочих температур от -55°C до +175°C делает его применимым в самых сложных условиях эксплуатации. Корпус TO-263-7 разработан для поверхностного монтажа, что упрощает интеграцию в современные печатные платы и обеспечивает отличную теплопередачу.
Этот N-канальный MOSFET от Infineon отлично подходит для использования в импульсных источниках питания, где требуется высокая эффективность преобразования энергии. Благодаря своим характеристикам, он также широко применяется в системах управления двигателями различной мощности, включая автомобильные и промышленные решения. Модуль часто используется в устройствах силовой электроники, таких как DC-DC преобразователи, инверторы и системы зарядки аккумуляторов. Его надежность и производительность позволяют использовать его в критически важных приложениях, где отказ компонента недопустим.
Купить IPB180N06S4H1ATMA2 можно в нашем интернет-магазине с гарантией оригинальности и качества продукции. Мы являемся официальными партнёрами Infineon, что гарантирует вам получение сертифицированных компонентов. Доставка осуществляется по всей России в кратчайшие сроки после оформления заказа. На складе всегда имеется достаточный запас товара для удовлетворения потребностей наших клиентов. Мы предлагаем гибкие условия оплаты, включая возможность работы с юридическими лицами и предоставления скидок на оптовые заказы. Наша техническая поддержка готова помочь с выбором подходящего компонента и ответить на любые вопросы.
Вопрос: Подходит ли этот MOSFET для работы с высокими частотами?
Ответ: Да, благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой скорости переключения, IPB180N06S4H1ATMA2 отлично подходит для работы в высокочастотных цепях, таких как импульсные источники питания и инверторы.
Вопрос: Какие меры предосторожности следует соблюдать при монтаже этого транзистора?
Ответ: При монтаже важно соблюдать рекомендации производителя по пайке и теплоотводу. Корпус TO-263-7 требует правильной установки на радиатор для эффективного охлаждения, особенно при работе с высокими токами.
Если вам необходим альтернативный вариант, рассмотрите другие модели линейки OptiMOS™ от Infineon, такие как IPP50R199CP или IPP075N15N3 G. Также доступны решения от других производителей, таких как ON Semiconductor или STMicroelectronics, которые могут быть совместимы с вашими требованиями по параметрам и корпусу.
Оформите заказ на IPB180N06S4H1ATMA2 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.
