IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon MOSFET SiC 1200В 14.9A D2PAK-7

SiC MOSFET IMBG120R181M2HXTMA1 от Infineon представляет собой высококачественный силовой транзистор на основе кремниевого карбида, предназначенный для использования в высокоэффективных преобразователях мощности. Устройство обладает рабочим напряжением 1200В, током 14.9А и низким сопротивлением открытого канала 181.4мОм. Корпус D2PAK-7 обеспечивает удобство поверхностного монтажа и эффективный теплоотвод даже при интенсивной нагрузке.

Преимущества и особенности

IMBG120R181M2HXTMA1 отличается высокой надежностью и производительностью благодаря использованию передовых технологий производства компании Infineon. Транзистор изготовлен из кремниевого карбида, что обеспечивает значительно меньшие потери на переключение по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Рабочая температура от -55°C до +175°C делает устройство устойчивым к экстремальным условиям эксплуатации. Компактный корпус D2PAK-7 позволяет использовать его в конструкциях с ограниченным пространством, сохраняя при этом высокую эффективность теплоотвода. Н-канальная структура гарантирует стабильную работу в широком диапазоне нагрузок.

Области применения

Данный SiC MOSFET идеально подходит для использования в источниках питания, инверторах, зарядных устройствах электромобилей, а также в промышленной автоматизации и возобновляемых источниках энергии. Благодаря высокому рабочему напряжению и низкому сопротивлению, он способен обеспечить максимальную эффективность в системах с высокой частотой коммутации. Применение этого компонента позволяет достичь значительного снижения потерь энергии, что особенно важно для современных решений в области энергосбережения. Также устройство может быть интегрировано в системы управления двигателем, где требуется высокая точность и надежность работы.

Покупка и доставка

Вы можете купить IMBG120R120R181M2HXTMA1 со склада в нашем интернет-магазине. Мы гарантируем оригинальность продукции Infineon и оперативную доставку по всей России. Для удобства клиентов доступны различные способы оплаты, включая безналичный расчет и банковские карты. При необходимости наши специалисты окажут профессиональную консультацию по выбору компонентов и их применению. В случае возникновения вопросов вы всегда можете обратиться за технической поддержкой или получить помощь в подборе аналогов. Мы ценим каждого клиента и стремимся сделать процесс покупки максимально комфортным.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Каковы основные преимущества SiC MOSFET перед обычными кремниевыми транзисторами?
Ответ: SiC MOSFET обеспечивают значительно меньшие потери на переключение, более высокую термическую стабильность и способность работать на более высоких частотах. Это позволяет создавать более эффективные и компактные системы питания.

Вопрос: Подходит ли этот транзистор для использования в автомобильной электронике?
Ответ: Да, IMBG120R181M2HXTMA1 соответствует требованиям к надежности и устойчивости к внешним воздействиям, что делает его пригодным для применения в автомобильной промышленности, включая системы зарядки электромобилей.

Рекомендуемые аналоги

Если вам необходимы дополнительные варианты, мы предлагаем рассмотреть аналогичные решения, такие как STMicroelectronics SCTW100N120G2AG или ON Semiconductor NTHL080N120SC1. Все представленные в нашем каталоге компоненты сертифицированы и прошли строгий контроль качества.

Оформите заказ на IMBG120R181M2HXTMA1 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.