IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon MOSFET SiC 1200В 47А TO-263-7

SiC MOSFET IMBG120R045M1HXTMA1 от Infineon — высокопроизводительный N-канальный транзистор с напряжением 1200В и током 47А в компактном корпусе TO-263-7. Этот элемент идеально подходит для применения в силовой электронике, обеспечивая надёжность, эффективность и стабильную работу даже в условиях повышенных нагрузок. Благодаря использованию карбида кремния (SiC), устройство демонстрирует минимальные потери мощности и превосходные динамические характеристики.

Преимущества и особенности

IMBG120R045M1HXTMA1 выделяется среди аналогов благодаря применению передовых технологий производства на базе карбида кремния. Это позволяет достичь значительно более высокой эффективности преобразования энергии по сравнению с традиционными кремниевыми решениями. Транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии, что минимизирует тепловыделение и упрощает проектирование систем охлаждения. Корпус TO-263-7 (D2PAK7) обеспечивает удобство поверхностного монтажа, а широкий диапазон рабочих температур — от -55°C до +175°C — гарантирует стабильную работу даже в экстремальных условиях. Продукция Infineon известна своим качеством и надёжностью, что делает данный SiC MOSFET оптимальным выбором для ответственных задач.

Области применения

Благодаря своим характеристикам IMBG120R045M1HXTMA1 широко применяется в современных устройствах силовой электроники. Он используется в источниках бесперебойного питания (ИБП), инверторах для солнечной энергетики, зарядных станциях для электромобилей, промышленных приводах и других устройствах, где требуется высокая эффективность и надёжность. Особое внимание стоит обратить на его способность работать с высокими частотами коммутации, что позволяет создавать компактные и производительные системы. Данный транзистор также отлично подходит для использования в импульсных блоках питания и других приложениях, где важны минимальные потери энергии и высокая плотность мощности.

Покупка и доставка

Купить SiC MOSFET IMBG120R045M1HXTMA1 вы можете в нашем интернет-магазине с доставкой по всей России. Мы гарантируем оригинальность продукции и её наличие на складе. Для удобства клиентов предлагаем различные варианты оплаты, включая безналичный расчёт и банковские карты. Наши специалисты всегда готовы предоставить консультацию по выбору подходящего компонента, а также помочь с оформлением заказа. Доставка осуществляется в кратчайшие сроки, включая возможность экспресс-доставки для срочных заказов. Также мы предлагаем гибкие условия сотрудничества для оптовых покупателей.

Часто задаваемые вопросы

Вопрос: Подходит ли этот транзистор для работы с частотами выше 100 кГц?
Ответ: Да, IMBG120R045M1HXTMA1 разработан для работы с высокими частотами коммутации, что делает его отличным выбором для приложений с частотами свыше 100 кГц.

Вопрос: Какие преимущества даёт использование карбида кремния в этом транзисторе?
Ответ: Карбид кремния обеспечивает более высокую эффективность за счёт снижения потерь на переключение и проводимость, а также улучшает тепловые характеристики устройства.

Рекомендуемые аналоги

Если вам нужен продукт с похожими характеристиками, обратите внимание на такие модели, как Wolfspeed C3M0065090J или Rohm SCT3040KW7. Эти транзисторы также основаны на технологии карбида кремния и подходят для широкого спектра применений в силовой электронике. Все представленные в нашем каталоге аналоги сертифицированы и соответствуют высоким стандартам качества.

Оформите заказ на IMBG120R045M1HXTMA1 — мы гарантируем оригинальность, наличие на складе и оперативную доставку по всей России.