FDC655BN - N-канальный MOSFET от Onsemi. 30В, ток до 6.3A, корпус SSOT-6. PowerTrench технология для низкого сопротивления открытого канала. Идеален для импульсных источников питания, промышленной и медицинской электроники. Низкий заряд затвора, быстрое переключение. Соответствует RoHS.
Категория:
МОП-транзисторы
Артикул:
9826033
Наличие:
349
-
Package Style:
SSOT-6
-
Mounting Method:
Surface Mount
-
ECCN:
EAR99
-
Информация PCN:
N/A
-
Статус части:
Active
-
Размер минимального заказа, шт.:
3000
-
Производитель:
Onsemi
-
Тикер производителя:
FSC
-
Модель модификации:
FDC655BN
-
Модель:
reel
-
Артикул (SKU):
9826033
-
Ссылка на предложение поставщика:
https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdc655bn-onsemi-9826033
-
Operating Temp Range:
-55°C to +150°C
-
No of Channels:
1
-
Input Capacitance:
470pF
-
Fet Type:
N-Ch
-
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
30V
-
Drain-Source On Resistance-Max:
33mΩ
-
Rated Power Dissipation:
1.6W
-
Qg Gate Charge:
13nC
-
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:
20V
-
Drain Current:
6.3A
-
Turn-on Delay Time:
6ns
-
Turn-off Delay Time:
15ns
-
Rise Time:
2ns
-
Fall Time:
2ns
-
Gate Source Threshold:
3V
-
Technology:
PowerTrench
-
Скачать Datasheet FDC655BN-D.pdf:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/FDC655BN-D.pdf
