CY14B104LA-ZS25XIT - это 4 Мбит (512 K x 8) энергонезависимая статическая память (NVSRAM) от Infineon. Напряжение питания 2.7В - 3.6В, время доступа 25нс. Интерфейс параллельный. Рабочая температура от -40°C до +85°C. Корпус TSOP II-44, поверхностный монтаж. Идеально подходит для промышленных применений.
Категория:
Энергонезависимая SRAM (NVSRAM)
Артикул:
1095026
Наличие:
859
-
Package Style:
TSOP II-44
-
Mounting Method:
Surface Mount
-
ECCN:
3A991.b.2.a
-
Информация PCN:
View PCN Information
-
Статус части:
Active
-
Размер минимального заказа, шт.:
1000
-
Производитель:
Infineon
-
Тикер производителя:
INF
-
Модель модификации:
CY14B104LA-ZS25XIT
-
Модель:
reel
-
Артикул (SKU):
1095026
-
Ссылка на предложение поставщика:
https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--memory--RAM--nvram--quantum-trap-nvsram/cy14b104la-zs25xit-infineon-1095026
-
Operating Temp Range:
-40°C to +85°C
-
Memory Density:
4Mb
-
Memory Organization:
512 K x 8
-
Supply Voltage-Nom:
2.7V to 3.6V
-
Temperature Grade:
Industrial
-
Storage Temperature Range:
-65°C to +150°C
-
Moisture Sensitivity Level:
3
-
Power Dissipation:
1W
-
Access Time-Max:
25ns
-
Interface:
Parallel
-
Скачать Datasheet Infineon-CY14B104LA_CY14B104NA_4-Mbit_(512_K_8_256_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf:
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-CY14B104LA_CY14B104NA_4-Mbit_(512_K_8_256_K_16)_nvSRAM-DataSheet-v16_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebf621933a8
