Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

BSZ068N06NSATMA1 Infineon MOSFET 60V 6.8mΩ OptiMOS™ TSDSON-8

BSZ068N06NSATMA1 Infineon MOSFET 60V 6.8mΩ OptiMOS™ TSDSON-8

869.40 руб.

(0/0)
Single N-Channel 60 V 6.8 mOhm 17 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии
 
Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  1183566
Наличие:  207
  • Package Style:   TSDSON-8
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   N/A
  • Статус части:   Active
  • Размер минимального заказа, шт.:   5000
  • Производитель:   Infineon
  • Тикер производителя:   INF
  • Модель модификации:   BSZ068N06NSATMA1
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   1183566
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsz068n06nsatma1-infineon-1183566
  • Operating Temp Range:   -55°C to +150°C
  • No of Channels:   1
  • Input Capacitance:   1200pF
  • Fet Type:   N-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   60V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   6.8mΩ
  • Rated Power Dissipation:   2.1W
  • Qg Gate Charge:   17nC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:   20V
  • Drain Current:   40A
  • Turn-on Delay Time:   7ns
  • Turn-off Delay Time:   12ns
  • Rise Time:   3ns
  • Fall Time:   3ns
  • Gate Source Threshold:   2.8V
  • Technology:   OptiMOS
  • Скачать Datasheet Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf:   https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e
Товар добавлен в корзину!