Добавлено к сравнению
Добавлено в избранное! Удалено из избранного!

Корзина

N-MOSFET BSH103,215 Nexperia 30V 0.4Ω SOT-23 (SC-59,TO-236)

N-MOSFET BSH103,215 Nexperia 30V 0.4Ω SOT-23 (SC-59,TO-236)

771.30 руб.

(0/0)
BSH103 Series 30 V 850 mA 400 mOhm N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
Добавить к сравнению

Способы оплаты

  • Полное описание
  • Характеристики
  • Комментарии
The BSH Series is a Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. Features: Suitable for high frequency applications due to fast switching characteristics Suitable for use with all 5 V logic families Suitable for very low gate drive sources Applications: "Glue-logic"; interface between logic blocks and/or periphery Battery powered applications DC-to-DC convertors General purpose switching Power management
Категория:  МОП-транзисторы
Артикул:  5692306
Наличие:  207
  • Package Style:   SOT-23 (SC-59,TO-236)
  • Mounting Method:   Surface Mount
  • ECCN:   EAR99
  • Информация PCN:   N/A
  • Статус части:   Active
  • Размер минимального заказа, шт.:   3000
  • Производитель:   Nexperia
  • Тикер производителя:   NPR
  • Модель модификации:   BSH103,215
  • Модель:   reel
  • Артикул (SKU):   5692306
  • Ссылка на предложение поставщика:   https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsh103-215-nexperia-5692306
  • Operating Temp Range:   -55°C to +150°C
  • No of Channels:   1
  • Fet Type:   N-Ch
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]:   30V
  • Drain-Source On Resistance-Max:   0.4Ω
  • Rated Power Dissipation:   500|mW
  • Qg Gate Charge:   2100pC
  • Gate-Source Voltage-Max [Vgss]:   8V
  • Drain Current:   0.85A
  • Turn-on Delay Time:   2.5ns
  • Turn-off Delay Time:   20ns
  • Rise Time:   3.5ns
  • Fall Time:   7ns
  • Length:   3mm
  • Height - Max:   1mm
  • Скачать Datasheet BSH103.pdf:   https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BSH103.pdf
Товар добавлен в корзину!