MOSFET Infineon BSC010NE2LSATMA1, N-Ch, 25V, 100A, TDSON-8

869.66 руб.

(0/0)

N-Channel MOSFET, 25В, 100А, TDSON-8 корпус, технология OptiMOS, Infineon BSC010NE2LSATMA1

Категория: МОП-транзисторы

Артикул: 3060174

Наличие: 350

Package Style: TDSON-8
Mounting Method: Surface Mount
ECCN: EAR99
Информация PCN: View PCN Information
Статус части: Active
Размер минимального заказа, шт.: 5000
Производитель: Infineon
Тикер производителя: INF
Модель модификации: BSC010NE2LSATMA1
Модель: reel
Артикул (SKU): 3060174
Ссылка на предложение поставщика: https://www.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc010ne2lsatma1-infineon-3060174
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
No of Channels: 1
Input Capacitance: 4700pF
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 25V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.3mΩ
Rated Power Dissipation: 96W
Qg Gate Charge: 85nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 100A
Turn-on Delay Time: 6.7ns
Turn-off Delay Time: 34ns
Rise Time: 6ns
Fall Time: 4.4ns
Gate Source Threshold: 2V
Technology: OptiMOS
Length: 5.35mm
Height - Max: 1.1mm
Скачать Datasheet Infineon-BSC010NE2LS-DS-v02_02-en.pdf: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSC010NE2LS-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b

Товар добавлен в корзину!

Корзина